Transistörün malzemesini deðiþtirmeye dayanan geliþme, daha ufak ve güçlü iþlemcileri ortaya çýkarýrken 1960'lardan beri süren bir geleneðin sonunu getirecek.

Intel ve IBM chipleri oluþturan yapý taþlarý olan transistörlerde kullanýlan malzemede deðiþikliðe gitmenin kapýsýný açtý. Bulunan yeni malzeme, transistörün akýmýný kontrol eden bölümde kullanýlan ve 1960'lardan beri deðiþtirilmeyen malzemenin yerini alacak. Böylece, özellikle mobil cihazlarda deðiþim yaratacak daha küçük ve güçlü chiplerin önü açýlacak.

40 yýldan uzun süredir neþter atýlmamýþ malzeme tarafýnda sahneye çýkacak yeni malzemenin, gümüþsü bir metal olan hefniyum olduðu açýklandý. Bu geliþme ile birlikte, 45 nanometre teknolojisi ile insan saçýnýn ikibinde biri boyutlarda devreler üretilebilecek.
Intel yeni malzemeyi bu yýl içinde kullanmaya baþlayacaðýný açýkladý. Firma, var olan ürünlerin performansýnda önemli yükselmesaðlayacak yeni chiplerin medya uygulamalarýnda ortaya çýkaracaðý performans artýþýnýn iki haneli rakamlarla ifade edileceðini ileri sürüyor.
IBM tarafýnda yapýlan açýklamada ise, yeni teknolojinin IBM'in ortaklarý tarafýndan gelecek sene piyasaya sürülecek ürünlerde kullanýlmasýnýn planlandýðý belirtildi. IBM'in ortaklarý arasýnda Toshiba'nýn yanýsýra AMD'nin de yer almasý, Intel'in yeni teknoloji ile elde ettiði rekabet avantajýnýn uzun süreli olmayacaðýný gösteriyor.
Araþtýrmacýlar, yeni teknolojinin 45 nanometre teknolojisine olanak tanýmakla sýnýrlý kalmayýp 22 nanometreye inilmesine kadar iþe yarayacaðýný savunuyor. Yeni malzeme ve buna eþlik eden teknoloji, saðladýðý ufalma ile ayný alana iki kat saayýda transistörün yerleþtirilmesini saðlama potansiyelini ortaya çýkarýyor. Yüzde 20'nin üzerinde hýz artýþý saðlayacak