Akýllý telefonlarýn pil ömürleri kullandýklarý bellek türüne göre yüzde 20 uzatýlabilecek.

Samsung, faz deðiþim malzemesi olarak bilinen parçalardan bellek birimleri üreteceðini açýkladý.

Bu birimler, ýsýnýnca veri kaydeden ya da silen bileþenlerden oluþuyor ve mevcut benzerlerinden çok daha az enerji harcýyor.

Samsung, bu bellek birimlerinin 2010 yýlý içinde üretilmeye baþlanacaðýný açýkladý.

Firma, PCM yani faz deðiþim bellek çiplerini mevcut tasarýmlarla ayný formatta üretecek. Bu sayede yeni çipler, mevcut üretim hattýna kolay uyarlanabilecek.

Faz deðiþim bellek çiplerinin en yaygýn biçimi, cama benzer bir malzeme olan germanyum, antimon ve titanyum alaþýmýndan üretiliyor.

Çalýþma prensibi

Belirli bir voltajýn bu belleðe verilmesiyle oluþan ýsý, malzemeyi, elektriðe karþý farklý dirençler sergileyen iki ayrý biçime dönüþtürüyor.

Sonuç olarak da bilgisayar dilindeki 0 ve 1'leri temsil etmek üzere kullanýlabiliyor.

Samsung yöneticileri, Taipei'de düzenledikleri mobil teknoloji forumunda, PCM birimlerinin 512 Mbit olarak üretmeye baþlayacaklarýný açýkladý.

Þirketin yaptýðý laboratuar denemesinin sonuçlarý 512 Mbit faz deðiþim belleðinin, verileri bazý flaþ bellek tiplerine göre 10 kata kadar daha hýzlý okuyup yazabildiðini ortaya koydu.

Samsung'a göre PCM bellek genel tabloda ise mevcut flaþ belleðe göre üç kat civarýnda bir hýz artýþý saðlýyor.

Samsung'un bu iþlemcileri telefonlarda kullanan ilk firma olacaðý düþünülüyor.